ECOC 2024：高速调制相关

• 铌酸锂调制
• W2A.87 140 GBd S-C-L-Band Transmission System Enabled by TFLN Coherent Driver Modulator and InP Coherent Receiver Engine

【摘要】Fraunhofer Heinrich Hertz Institute HHI和Technical University of Berlin的研究团队采用商用的铌酸锂相干发射机和集成了128GBd SiGe TIA的InP相干接收机引擎，演示了支持S-C-L波段的128/140-Gbaud QPSK/16QAM b2b传输。不过高意现在的InP TROSA应该也都能支持S-C-L的140GBd传输，发射端是否需要铌酸锂呢？

• W2A.126 Optical-amplification-free 212.5 Gbaud/λ On-Off Keying Link Operating Error-free using TFLN MZM Modulator

【摘要】Riga Technical University/KTH/Keysight/爱立信等报道了500m单模光纤传输的200/212.5 Gbaud OOK无误码，可以实现低复杂度DSP和无FEC的传输。

• Th1B.2 C+L-band 4 Tb/s (500 Gb/s/λ × 8λ) WDM IM/DD Optical Interconnection over Anti-resonant Hollow-core Fiber Enabled by Ultra-high Bandwidth TFLN Modulator

【摘要】中信科集团、鹏城实验室、国家光电子创新中心、暨南大学等报道了采用自研高带宽铌酸锂调制器实现C+L波段8波长的4-Tb/s PAM-16调制在 1.4 km 低色散反谐振空芯光纤的传输，应用于3.2T传输。

• W2A.18 Low half-wave-voltage and high-bandwidth thin-film lithium niobate electro-optic modulator

【摘要】图灵量子报道了半波电压2V、带宽＞110 GHz的薄膜铌酸锂调制器。

• 硅光调制：
• W2A.17 Dispersion-Compensation-Enabled Silicon Mach-Zeh nder Modulator for CWDM6 Applications

【摘要】上海交通大学和华为无线BU报道了集成片上色散补偿器的硅光MZM实现 112 Gbps PAM-4 signals传输12 km 后TDECQ从 3.1 dB 优化到 0.9 dB。片上色散补偿是基于输入分光比的调谐，引入正负及大小可调的啁啾实现的。之前看Newphotonics的硅光模块也说是片上集成了色散补偿器件，不知道是否是相同的原理，是否引入额外插损代价？

• W2A.30 60-GHz-Bandwidth Silicon Optical Modulator Utilizing Electro-Optic Frequency-Domain Equalizer

【摘要】日本NICT/住友/早稻田大学报道了一款通过集成片上电光频域均衡器的硅光调制器，将带宽可以从20GHz提升到60GHz，并且可以冲击110 GHz的带宽。国内浙江大学储涛老师也有类似的工作，可以实现无DSP的128 Gbaud调制，冲击200Gbaud。看来硅光调制器还是有潜力可以挖的。

• W2A.47 1.9-pJ/bit 0.5-mm2 High-Speed Optical Transmitter including Silicon Slow-Light Modulator and Current-Mode BiCMOS Driver

【摘要】日本横滨国立大学、NICT的研究者报道了慢光硅光MZM和电流型BiCMOS的光电协同设计，实现了1.9-pJ/bit的效率和0.5-mm2的尺寸，速率达到64Gbps，应该是最近发表在Optica上的那篇。不过慢光调制器的带宽、插损问题能否进一步优化，决定了它的实用价值。

• Th2G.4 Segmented MZM Enhanced Silicon Coupling-Modulated Ring Resonator Modulator Operating up to 170-GBaud for Coherent Applications

【摘要】Nokia Bell Labs和UBC报道了双段式的基于耦合区调制的高速硅光微环调制器，演示了150Gbd传输和多电平调制的170Gbaud传输，净速率达到341Gb/s。之前国内浙大刘柳团队基于相同原理，在铌酸锂调制器上实现了超高带宽，理论带宽可以达到THz量级。

• Th2G.5 Terabit All-Silicon Micrometer-Scale Coherent Modulator

【摘要】Laval大学报道了一道相干硅光调制器，可以实现180Gb的符号率和1Tb/s的单波80km传输，带宽密度达到5Tb/s/mm。

• Tu1C.3 A 64 Gbaud/s Hybrid Integrated Silicon Photonic Transceiver with Co-Designed CMOS Driver and TIA for In-Package Optical I/O

【摘要】西安光机所、半导体所团队报道了一款基于28 nm CMOS和 SOI 工艺混合集成、光电协同设计的高速硅光微环收发机。该器件包含60GHz的双段式微环调制器、双微环滤波器DEMUX和40 GHz双向PD，能效为7.15 pJ/bit.

• Tu1D.3 Silicon Photonics GeSi Electro Absorption Modulator for Beyond 300 Gb/s Per λ Links

【摘要】 Riga Technical University/IMEC/Keysight/ETH等报道了300 Gb/s的GeSi电吸收调制器。GeSi调制器只能用在C或者L波段范围，在O波段无法工作，Celestial AI公司采取的就是这条路线，硅光EAM相比MZM尺寸要小，相比微环MRM更稳定。

• 新型材料：聚合物、BTO等
• Th2G.1 Graphene-Organic Ring Modulator for High Data Rate Optical Communications

【摘要】瑞士ETH基于他们特色的电光聚合物材料，报道了一款石墨烯-聚合物的微环调制器，实现了128Gbaud的调制，调制区长度仅为50um，片上插损2dB。

• Th2G.2 BTO-on-SiN Platform for 200 GBd Communications in the O- and C-band

【摘要】瑞士ETH及其初创公司Lumiphase，联合Ligentec，报道了O波段的BTO-on-SiN微环调制器的224Gbaud高速调制，片上插损2dB。演示了C波段IQ调制器的实现.

• Tu1D.1 Plasmonic Ring Resonator Modulator Demonstrating IM/DD >400G per lane

【摘要】ETH研究团队报道了等离激元微环调制器，实现400Gb/s的IMDD调制，片上插损1.2dB，带宽＞110GHz。

总体来看，似乎也没有太多创新的器件设计概念提出，光域均衡、光电协同、耦合调制、异质集成也都不算是新的概念，但都还是能为器件性能提供不断提升动力。不同材料平台的发力方向还是差不多，III-V冲击更高带宽，尽可能不引进新材料；硅光MZM带宽持续优化，希望借助产业发展趋势扩大影响力，形成正向循环，同时硅光微环调制器高带宽密度助力CPO、OIO等新场景吸引大家持续投资和研究；LNOI瞄准低功耗、下一代超高速率场景，力图在III-V和硅光中抢到一席之地；新材料瞄准既高速又低功耗还高带宽密度的方向持续探索中。