东京电子成功开发可用于制造400层堆叠3D NAND芯片的新技术

半导体设备巨头厂商东京电子近日发布消息，宣布成功开发出一种存储芯片通孔蚀刻技术，这项创新技术可以在短短33分钟内完成10微米深度的蚀刻，与此前的技术相比时间大大缩短。

据称，该技术的应用有助于制造更高容量的3D NAND，可用于制造400层以上堆叠的3D NAND闪存芯片。

据了解，研究团队开发的新工艺，首次将电蚀刻应用带入低温范围，并开创性地发明了具有极高蚀刻速率的系统。东京电子表示，开发这项技术的团队，将于近期日本京都举办的2023年超大规模集成电路技术和工艺研讨会上发布最新成果和报告。

此外，在闪存技术发展上，SK海力士于上周宣布，已开始量产238层4D NAND闪存，并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。