三星电子8层版本的HBM3E存储芯片通过英伟达测试
【三星电子8层版本的HBM3E存储芯片通过英伟达测试】财联社8月7日电，知情人士称，三星电子第五代HBM3E存储芯片的8层版本已经通过英伟达的测试。三星电子和英伟达尚未就8层HBM3E存储芯片签署供应协议，但很快就会签署；预计第四季度开始供应。12层版本的HBM3E存储芯片尚未通过英伟达的测试。（路透）
- 发表于:
- 原文链接：https://page.om.qq.com/page/OjKudW4tAHHJ6uUryjXg77mw0
- 腾讯「腾讯云开发者社区」是腾讯内容开放平台帐号（企鹅号）传播渠道之一，根据《腾讯内容开放平台服务协议》转载发布内容。
- 如有侵权，请联系 cloudcommunity@tencent.com 删除。
相关快讯
扫码
添加站长 进交流群
领取专属 10元无门槛券
私享最新 技术干货
腾讯云开发者
