液体铝电容（3）——阳极箔杂质的影响

为提升铝箔的比容，一般需要对铝箔进行腐蚀以扩大其表面积。而为了使得晶面的Al₂O₃介电层更均匀，提升电容器的耐压性和容量稳定，一般要求从而达到更大的比容。一般要求光箔的立方织构占比越高越好。如果铝箔中杂质较多，会阻碍立方织构的发展。因此，阳极箔一般选用高纯度铝箔，纯度大于99.99%。但是铝箔中的杂质不可避免，常见的杂质包括Mg、Fe、Zn、Cu等。其中，Mg主要集中于铝箔的表面，在铝箔表面易形成Mg的氧化物和Al的氧化物的复合氧化膜，由于Mg比Al活泼，在后续的发孔过程中，Mg的氧化物会成为支孔的生长的引发中心，使得腐蚀孔侧向生长，侧向生长处的孔径较小，在化成过程中，氧化膜的生成容易使蚀孔阻塞，因此，支孔对铝箔比表面积的扩大没有好处，若支孔出现频繁，还会导致铝箔表面整体剥落，降低阳极箔的比容，使化成箔的机械强度下降。

另外，Fe含量的增加会使得铝箔在腐蚀后的立方织构含量降低，Fe原子的不均匀分布会使晶粒粗大，腐蚀不均匀，使腐蚀箔的比容降低，三价铁在化成时掺杂如氧化膜中也会使得漏电上升。Zn可以促进立方织构的生成，在电化学腐蚀过程中，Zn相当于原电池的正极，Al相当于负极，所以Zn元素可以促进铝机体的腐蚀，使孔密度升高，孔隙变小，孔的分布变得更均匀。后续扩孔时能有效增加铝箔的比表面积，提高高压铝电解电容化成箔的机械性能和比容。但是过量的Zn会造成腐蚀加剧，降低铝箔强度。Cu也有利于铝箔的腐蚀，提高发孔密度，从而促进铝的坑道腐蚀。但是含Cu较多的铝箔在工作电解液中，由于微电池作用，可能对氧化膜产生破坏，从而增大铝电解电容的漏电流。