迈开第一步，国产光刻技术的进阶，关键材料获得突破

无论如何，现在还是要承认我们在半导体产业上，尤其是在先进制程工艺的芯片制造上，我们已经处于落后状态。正视问题、解决问题是我们需要做的，如何解决问题？看看近来任正非的一些表态，或许我们应该深思一下：

任正非

C9高校校长一行访问华为的座谈会上，任正非表示：现在国产芯片的发展问题主要出在“制造设备、基础工业以及化学制剂”上。我们国家要重视发展“装备制造业、化学产业”。大学不要管当前的“卡脖子”，要“深扎根”，要“捅破天”，要把化学看成重要的学科，要培养更多的尖子人才和交叉创新人才。

由此可以看出来，任正非非常重视在化学材料的进步。材料上的突破是半导体产业突破的先决条件，而在这方面，其实我们已经有企业行动起来了。例如致力于光电子及微电子材料的研究的南大光电在实现ArF光刻胶的技术突破后，于近日发布消息称，已经成功实现了ArF光刻胶生产线的建设，且已经开始投产，这意味着我们在高端光刻胶方面实现了量产。

任正非

ArF光刻胶属于光刻胶领域比较先进的一种，可以实现193nm波长曝光的光刻材料，可不要小看了这个193nm，此波长的光源可以实现7纳米工艺芯片的制造，当然了，28nm、14nm就更不是问题了。

根据曝光光源的波长，可以将光刻胶分为ｇ线、ｉ线、KrF、ArF、F2，对应的光源波长为436nm、365nm、248nm、193nm、157nm、13.5nm，而达到13.5nm就是意味着进入了EUV光刻阶段，由此可见，我们的光刻胶材料还有漫漫长路需要我们探索。

芯片

因为华为无法采购到5nm、甚至是更先进的芯片，让不少人觉得问题出现在了EUV光刻机上，不可否认，在EUV光刻机上，我们落后太多，甚至是DUV光刻机上，我们也存在巨大的差距，但是如果将问题都推到了光刻机上，这很明显是不负责任的说法，毕竟，芯片制造是整个半导体产业链都需要发力的产业。

国产自主制造芯片工艺落后，不仅仅是光刻机的问题，还有材料的问题。就像日本对韩国半导体产业动手一样，直接在光刻胶、氢氟酸、氟化聚酰亚胺等关键材料上进行限制，直接捏住了韩国半导体产业发展的命门。

芯片

而这方面，我们同样需要加油，虽然说，我们现在在Arf光刻胶上已经获得了突破，但是，这终究是在DUV光刻技术上的突破，我们的长远目标还是应该放到EUV光刻技术上，尽管暂时我们还达不到这个水平，但是未雨绸缪不是坏事，在材料上向下扎根，这样我们的半导体产业才会迎来希望。