武汉新芯申请CMOS图像传感器及其形成方法专利，有助于降低暗电流

国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“CMOS图像传感器及其形成方法”的专利，公开号CN120603344A，申请日期为2024年02月。

专利摘要显示，本发明涉及一种CMOS图像传感器及其形成方法。所述CMOS图像传感器中，利用衬底的下衬底层和上衬底层分别形成像素区域的元件，其中，光电二极管、浮置扩散区以及传输栅电极结构在被凹槽暴露的下衬底层形成，多个MOS器件在所述上衬底层形成，所述上衬底层与所述下衬底层之间具有掩埋氧化物层，在所述CMOS图像传感器工作时，所述掩埋氧化物层可以阻隔多个所述MOS器件的衬底电流向所述光电二极管的区域泄露，有助于降低暗电流，提升传感器的性能。

天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目216次，财产线索方面有商标信息68条，专利信息1761条，此外企业还拥有行政许可106个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯