华虹半导体申请金属格栅及其形成方法和背照式图像传感器芯片专利 有效降低光学串扰

国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“金属格栅及其形成方法和背照式图像传感器芯片”的专利，公开号CN120603343A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明公开了一种金属格栅及其形成方法，旨在解决光学串扰问题。该金属格栅包括形成外层结构的介质层，以及被其至少在侧壁包覆并填充内部的金属层。其形成方法包括：在衬底上形成掩模层并在其中形成沟槽；在沟槽内壁沉积介质层；沉积金属层填充沟槽剩余空间并覆盖周边区域形成叠层结构；最后去除沟槽外部的叠层结构部分及掩模层部分，以限定金属格栅。本发明通过形成的金属格栅能有效降低光学串扰，提高成像质量和量子效率。

天眼查资料显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目375次，专利信息83条，此外企业还拥有行政许可227个。

华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2938次，专利信息1792条，此外企业还拥有行政许可116个。

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来源：市场资讯