龙腾半导体申请用于MOSFET器件的栅电荷测量方法及装置专利，显著提高了栅电荷测量精准度

国家知识产权局信息显示，龙腾半导体股份有限公司申请一项名为“一种用于MOSFET器件的栅电荷测量方法及装置”的专利，公开号CN 120610142 A，申请日期为2025年08月。

专利摘要显示，本发明公开了一种用于MOSFET器件的栅电荷测量方法及装置，涉及电力电子测试测量技术领域，包括：被测功率器件；负载模块的第一端与被测功率器件的漏极电连接，负载模块的第二端与母线电容的第一端电连接；栅极驱动模块电连接于被测功率器件的栅极与源极之间，被测功率器件的源极与母线电容的第二端电连接；栅极驱动模块包括驱动电阻；高压差分电压探头电连接于被测功率器件的漏极与源极两端，高共模抑制比的低压差分探头电连接于驱动电阻的两端，低压差分电压探头电连接于被测功率器件的栅极与源极两端，电流探头电连接于被测功率器件的源极与母线电容的第二端之间形成的测试回路中。

天眼查资料显示，龙腾半导体股份有限公司，成立于2009年，位于西安市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本16126.1111万人民币。通过天眼查大数据分析，龙腾半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息158条，此外企业还拥有行政许可6个。

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来源：市场资讯