什么是IMC（金属间化合物）

什么是金属间化合物（IMC）

金属间化合物（IMC）是两种及以上金属原子经扩散反应形成的特定化学计量比化合物，其晶体结构决定界面机械强度与电学性能。

在芯片封装中，常见的IMC产生于如金与铝、铜与锡等金属对接界面。它们通常在高温工艺（如焊接、回流、热压键合等）中形成并逐渐生长。IMC层的适度生长有助于提高连接强度，但过度生长或形成不利相（如脆性相），则会引起连接失效，甚至导致整个器件性能下降。

在芯片封装领域，IMC主要出现在三大工艺环节：引线键合（Wire Bonding）、表面贴装（SMT焊接）及倒装芯片（Flip Chip）底部填充前的金属化界面。

引线键合的IMC分析与检测

1.金线键合IMC

金线与铝焊盘界面在高温下易形成IMC，其中应避免出现脆性相AuAl₂（俗称“紫斑”），该缺陷可能导致连接失效。通常要求IMC覆盖率不低于75%，且界面无明显裂纹。

常用的化学剥离方法包括：

磷酸法：用85%磷酸煮沸后可溶解铝层，露出银灰色鳞片状的IMC；

氢氧化钠法：10% NaOH溶液可快速蚀刻铝垫，但需注意控制时间，避免过腐蚀；

碘化钾法：KI/I₂溶液有助于保留某些IMC相（如Au₄Al）的形貌，适用于高倍显微镜观察。

腐蚀后需经去离子水清洗并吹干，以避免氧化干扰。

2.铜线键合IMC

通过175℃/2h的热处理可促进Cu₉Al₄相的生长。随后使用65%硝酸进行蚀刻，并在光学显微镜下观察铝垫残留环宽度，通常控制在5–15μm为宜，该范围对应IMC厚度约0.5–1.2μm。

需注意硝酸浓度的轻微偏差会显著影响蚀刻速率，因此每批次需使用标准样品进行校准。

IMC层的形成

在IMC层检测方面具有丰富的经验，拥有一支由国家级人才工程入选者和资深技术专家组成的团队，能够针对封装工艺优化提供具体的解决方案。在焊接过程中，IMC的形成可分为两个阶段：

1. 液相反应期：高温下锡与铜反应生成Cu₆Sn₅（η相），其生长受扩散控制；

2. 固相扩散期：在后续使用或老化过程中，界面处继续形成Cu₃Sn（ε相），该层中若出现过多Kirkendall空洞（如空洞率＞5%），会导致连接强度显著下降。

结论

金属间化合物虽微观不可见，却直接影响芯片封装的宏观质量和寿命。理解IMC的形成机理与控制方法，不仅有助于工艺优化，更是推动电子器件向更高性能、更小尺寸、更强可靠性的关键一环。在未来智能化、数字化趋势下，IMC研究仍将持续成为连接材料科学与工程应用的重要桥梁。