多功能键合机在先进封装的典型应用案例

案例一 3D堆叠与TSV封装的晶圆级熔融与混合键合​​

•面向3D IC、存储器堆叠、CMOS图像传感器等，采用晶圆对晶圆的熔融/分子键合与混合键合实现高密度互连。以EVG GEMINI FB XT为代表，集成高精度对准（Smart View NT3，面向<50 nm级熔融/混合对准）、可在真空与受控气氛下键合，并与EVG850系列临时键合/解键合系统配合，完成薄片处理与堆叠；平台支持200/300 mm晶圆、多腔体自动化，已在存储器堆叠、3D SoC、背照式CIS等场景中规模应用。配合工艺路线，可在同一平台体系内完成阳极、玻璃料、焊料、共晶、瞬态液相（TLP）与直接键合等多工艺选择，满足不同材料体系的3D集成需求。

案例二 射频与MEMS器件的晶圆级阳极/共晶键合与小批量导入​​

•在射频前端（GaAs/GaN HEMT）与MEMS等对热预算与界面质量敏感的器件中，常用阳极键合（玻璃-硅）与共晶/焊料键合（AuSn、AuGe等）实现芯片到基板或晶圆级腔体的高可靠封接。以EVG501/510/520IS为代表，平台支持阳极、玻璃料、焊料、共晶、瞬态液相、直接键合等全流程，真空/受控气氛、快速升降温与可更换腔体设计，使其既适合高校/研究所的工艺探索，也可平滑迁移至小批量生产；腔体尺寸覆盖100–300 mm，便于从研发到中试的工艺一致性验证。

案例三 晶圆减薄与背面工艺的临时键合支持3D与WLP​​

•为实现超薄晶圆的TSV背面工艺、再布线与堆叠，采用临时键合/解键合的多功能平台是关键。以EVG850系列（如850LT/850TB）为例，集成LowTemp等离子活化、自动对准、热压/层压与在线计量，可在100–300 mm范围内实现低应力、低缺陷的临时键合，并与后续背面研磨、TSV、RDL、再键合/解键合形成完整工艺链，支撑3D集成与晶圆级封装（WLP）的量产化导入。

案例四 异构集成与芯片到晶圆（D2W）混合键合的量产化路径​​

•面向异构集成与芯片到晶圆（D2W）的高精度堆叠，行业已实现<1.4 μm的键合间距，并以混合键合持续推动间距微缩（目标再降一半）。EVG GEMINI FB XT结合Smart View NT3高精度对准与多腔体自动化，面向3D SoC、存储器堆叠等高密度互连应用，提供从对准到熔融/混合键合的一体化解决方案，适合在先进封装产线中承担高节拍、高对准精度的量产任务。