华为公开“半导体结构的制备方法”专利

天眼查显示，近日华为技术有限公司新增多条专利信息，其中一条名称为“半导体结构的制备方法”，公开号为CN117133653A。

专利摘要显示，本申请实施例提供一种半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域，用于降低欧姆接触电阻率并提升制备欧姆接触的一致性。半导体结构的制备方法包括：在衬底上形成层叠设置的沟道层和势垒膜，并在势垒膜上刻蚀出源极凹槽和漏极凹槽，然后利用湿法刻蚀对源极凹槽和漏极凹槽的底部进行平坦化处理，以使源极凹槽和漏极凹槽的槽底平整，最后形成源极和漏极。其中，源极凹槽和漏极凹槽之间具有间隔，源极位于源极凹槽，漏极位于漏极凹槽，源极与势垒层欧姆接触，漏极与势垒层欧姆接触。

华为指出，随着半导体科技的发展，具有热导率高、电子漂移速率高、耐高温、化学性质稳定的半导体器件，在高频、高温、微波领域具有广泛的应用前景。高功率半导体器件，例如氮化镓高电子迁移率晶体管器件，由于其特有的高电子迁移率、高二维电子气面密度、高击穿电场、高沟道电子浓度和高温度稳定性等优点，使得其具备更高的输出功率密度，因而被广泛应用于射频/微波功率放大电路等集成电路中。为了提高高功率半导体器件的总输出功率，通常通过降低欧姆接触电阻率来减小器件的导通电阻，进而提升器件在高功率下的工作效率。因此，如何减小欧姆接触电阻率并提升制备欧姆接触的一致性成为亟需解决的技术问题，为此华为提出了上述专利。