中科院突破2nm芯片瓶颈，荣获全球第一，量产却受制于光刻机

现如今，集成ic之战越来越激烈，特普朗限令连续不断攻克，以后态势将怎么样发展目前还难说。然而，就现阶段的状况而言，特普朗的每一操作都被华为公司化险为夷的消除了。

殊不知，这一系列的事情，使咱们愈发意识到控制核心部分科技成果的重要意义。因为，时间也连续不断提醒咱们落后就将会被打，唯有控制核心部分科技成果才可以不忍气吞声。

近期，中国芯连续不断传出利好消息。前不久又一利好消息传出，中科院成功地攻克了2纳米芯片工艺的瓶颈，站稳了世界第一的位子，这实属不易。

要知道，现阶段世界上高端芯片的科研开发还留在5纳米技术的环节，而且连续不断朝着3纳米技术集成ic进军。

然而，此次中科院在2纳米技术方面获得的丰硕成果，广受当今世界关注。也毫无疑问为中国芯的发展壮大，带来了扎实的技术支持。

然而坏消息是，中国芯一直一个最大的障碍，那便是光刻机的先进制造技术。

一颗集成ic的产生必须有芯片设计与芯片生产。在芯片设计上，华为公司一直走在当今世界前端，此次中科院攻克2纳米芯片工艺，毫无疑问是使中国芯设计水准更上了一层楼。

在芯片生产上，简单的可分成半导体材料，集成ic切割，集成ic雕刻。因此 ，集成ic简单的来说便是把玻璃切割成非常小一块，再在这块小玻璃上放很小的针雕刻出线路。

现阶段，我们在半导体材料上获得了从硅基到碳基的攻克，在切割上也有着了自身单独科研开发的切割机。

因此 ，中国芯现阶段最大的障碍，实际上是在光刻机上。这也是中科院攻克2纳米芯片工艺短板，导致咱们还不能进行2纳米芯片的大量生产。

因此 ，如果我们在光刻机工艺上一旦获得重大成果，那么中国芯的最大的障碍也就化为乌有。

令人激动的是，2019年中芯国际现已成功的进行了14纳米技术集成ic的大量生产，和实现了7纳米技术集成ic的宣布投产。坚信咱们的科技人员，在坚持不懈的努力下，一定会有所突破。