中科院5nm激光光刻，是否意味可以取代荷兰的ASML光刻机？

近日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员张子旸与国家纳米中心研究员刘前合作，成功研发出了一种新型5nm超高精度激光光刻加工方法。

这种方法有别于传统的缩短激光波长或增大数值孔径的技术路径，打破了传统激光直写技术中受体材料为有机光刻胶的限制，可使用多种受体材料，扩展了激光直写的应用场景。

看到这个消息之后，有一些不负责任的人就开始大肆宣扬，说中国光刻机技术已经取得了历史性突破，甚至说中国光刻机技术已经超过荷兰的ASML，ASML的EUV光刻机将变成白菜价等等。

持有这些观点的人完全是用屁股在思考，为了博取流量可以说是毫无底线。

首先中科院在光刻机技术上能够取得一些新的突破，这是非常值得大家高兴的一个事情，毕竟芯片对于我国来说太重要了，我国作为全球最大的芯片消费国之一，但是目前我国一些高端芯片仍然严重依赖进口，虽然我们有能力设计出7纳米甚至5纳米的芯片，但是想要把这些设计方案转化为实实在在看得见的芯片，还要委托给其他厂商进行生产。

目前我国没有能力制造出7纳米以上的芯片，正因为如此，我们在一些关键点上总会被别人卡住脖子。

因此看到中科院5纳米光刻技术研究成功，这确实是非常鼓舞人心的事情。

但在这我们不得不给大家泼一盆冷水，中科院的5纳米激光光刻技术，目前还处于实验室阶段，离工业应用以及量产还有很长的路要走。

这种5纳米激光光刻技术仅仅局限于实验室小规模小批量的进行实验，而且不论是光刻的面积还是光刻的速度，都要比目前工业应用的光刻机弱很多，想要实现大规模批量的生产，要等到这项技术必须完全成熟了才有可能实现。

至于这种5纳米激光光刻技术什么时候能够实现量产，我们不得而知，但从光刻机研发的历史以及技术的晋级难度来看，这种光刻技术想要实现量产，我认为至少需要5年时间以上甚至更长。

而目前荷兰asml的EUV光刻机已经非常成熟，完全可以用来生产7纳米芯片，通过工艺上的改进之后，还可以用于生产5纳米的芯片。

除此之外，ASML目前也正在加大研发5纳米甚至3纳米光刻机，从他们的技术积累和研发进度来看，等中科院5纳米激光光刻技术具备量产的时候，说不定他们已经可以量产2纳米的光刻机了。

这意味着我国的光刻技术就算再先进，但跟ASML至少保持两代以上的差距，至于量产的光刻机那代差就更大了。

所以针对中科院5纳米激光光刻技术这个事情，我们需要冷静的去看待，我国光刻技术能够取得突破，这是非常值得鼓舞人心的，我相信经过我国科研人员的努力，我国光刻技术跟世界顶尖水平的差距肯定会越来越小。

但我们也不能因为光刻技术值得突破了就盲目膨胀，我们必须清楚地看到，目前我国光刻技术跟世界顶尖水平的差距，只有看到这种差距，我们才会奋力直追。

如果我们活在自己的世界里，不去看外面的世界，看不到我们跟世界顶尖水平的差距，那我们就不可能赶上他们。

所以我们需要认清现实，并虚心向别人学习，并通过我们自己努力去探索，我们在芯片的路上才有可能真正的做到独立自主。