华为迎来新希望！国产巨头绕开光刻机，制程接近7nm！

现在华为、乃至咱们国内的整个芯片行业其实都是处于一个困境之中，虽然目前最受影响的是华为，但不难看出其他的公司也是遭受着威胁。那在困境之下什么是那些打压咱们的人最害怕的呢？其实就是咱们的大力研发，自主研发。

国内的技术资源和实力其实都是不差的，有人才也有钱，可能有人看法不同，觉得极紫外光刻机这类技术是西方技术几十年的技术积累的金钱的投入，咱们不可能说短短的几年就能达到相同的水平，在技术的积累的雄厚程度上是不对等的。

一般来说这个想法的确是没错，人家数十年的投入凭什么被咱们短短几年就超过？但是这是在咱们走他们的老路的情况下，如果说我们走的方向和他们是完全不同的路子，这就为咱们“弯道超车”提供了可能性，虽然光刻机发展了这么多年，但是有谁能够确定的说，没有其他的方式能够制造芯片了呢？

之前中科院、还有众多的业界大佬都是表示将要大力投入咱们国内的半导体发展，表示将有可能从别的角度出发来突破芯片的困境，而且还有相关的目标也被下达给了众企业，要在5年内实现70%的芯片自给。这给了大家信心，相信一定能够在这段时间里有所突破。

但没想到消息来得这么快，在10月12日一则消息传来，10月1日的时候中芯国际就已经是完成了全球首个基于FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试。而且还有消息表示这种工艺已经非常的接近7nm制程，而且还不需要使用到ASML的极紫外光刻机。

当然注意，这里说的是不需要使用到ASML的EUV光刻机，并非不要光刻机了，这种工艺还是需要其他的光刻机来完成生产。可能大家会有点失望，但是这反而是更合乎情理一些，毕竟饭是一口一口吃的，问题也是得一步一步来解决。

如今中芯国际也是起了个头，相信后面一定会有源源不断的好消息，而且这也是给了华为一个新的希望，毕竟在这个看不到头的限制下，中芯国际的每一次突破都是在给整个行业以信心。