台亚：SiC、GaN有望在明年陆续向客户送样

集微网消息，据钜亨网报道，6月23日，台亚召开股东会，总经理衣冠君表示，除了传感器与不可见光业务外，公司持续积极布局第三代半导体，旗下积亚半导体碳化硅(SiC)厂正持续建设中，今年也针对氮化镓(GaN)进行设备、技术投资，预计SiC、GaN功率元件产品有望在明年陆续向客户送样。

台亚表示，过去在磊晶及分离器件制造技术上已有相当深厚的基础，将扩大加强与上游IC设计公司及下游封测、产品的合作，加上公司磊晶、后段制程、封测的资源，期望成为类IDM厂，可于短时间内制作出高电子迁移率电晶体样品。

衣冠君表示，SiC方面主要由旗下积亚所布局，预计未来将会先完成小型产线生产功率元件，年产能约3000片，而台亚将负责GaN功率器件，产品将主攻充电桩市场，比SiC的元件相比有更低的功耗，未来将结合GaN与SiC，发展出高频、高效的射频器件及模组。

市场也期待台亚未来第三代半导体产品可望出给日亚化，衣冠君表示，日亚化在第三代半导体领域具备技术优势，目前主要在光电产品领域合作，公司将持续布局第三代半导体，期望最终能出货日亚化，进一步进入欧洲车厂供应链。

（校对/xiao wei）