200亿，长飞先进半导体基地在光谷开工

200亿，长飞先进半导体基地在光谷开工

9月1日，长飞先进半导体武汉基地开工仪式在武汉新城举行。

项目位于光谷科学岛，项目总投资预计超过200亿元。其中，项目一期总投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。在碳化硅行业，“产能为王”一直是重要关键词，尤其是随着800V新能源汽车的推出，2025年，碳化硅市场将迎来全面爆发。为此，该公司自2022年起，就开始前瞻性规划武汉基地建设，此后一路加快步伐，并正式开工。

一期项目预计2025年建设完成，届时将成为国内最大的SiC功率半导体制造基地，产能规模将居行业领先地位。

项目所在地原以为在九峰工业园，没有想到在科学岛上。且岛上的选址原地块为住宅及学校用地，这后面又要改规划。

8月25日，东湖高新区管委会与长飞先进半导体签署了第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议书。长飞先进第三代半导体功率器件研发生产基地项目落户光谷，助力打造化合物半导体产业高地。