三星采用长江存储技术专利：中国存储芯片的重大突破-北京四海龙

2 月 24 日，一则令人瞩目的消息传来：韩媒 ZDNet Korea 独家报道称，三星电子近期与中国的存储芯片厂商长江存储签署了开发堆叠 400 多层 NAND 闪存所需的 “混合键合” 技术专利许可协议。这意味着，从三星电子的第 10 代（V10）NAND Flash 产品（430 层）开始，将使用长江存储的专利技术进行制造。

据知情人士透露，三星电子之所以签署这份许可协议，是因为其判断在开发 V10、V11 和 V12 等下一代 NAND 时，几乎不可能避开长江存储的专利。这一举措充分显示了长江存储在存储芯片技术领域的强大实力和独特优势。

此外，报道还提到 SK 海力士也有可能与长江存储签署专利协议。这一系列的动态表明，中国的存储芯片产业正在崛起，其核心技术已经获得了行业巨头的认可。

国产存储芯片经过最近十年的不懈发展，终于在核心技术上取得了重大突破，走在了行业的前沿。这对于中国科技行业来说，无疑是一个振奋人心的好消息。它不仅彰显了中国企业在技术创新方面的努力和成果，也为中国科技产业的发展注入了强大的动力。

曾经，在存储芯片领域，中国企业或许面临着诸多挑战和技术瓶颈。但通过持续的投入研发、人才培养和技术积累，如今已经能够在国际舞台上崭露头角。长江存储的成功，是中国科技企业坚持自主创新、不断追求卓越的一个生动例证。

未来，我们有理由相信，中国的存储芯片产业将继续蓬勃发展，不断推出更先进、更具竞争力的产品。同时，也期待更多的中国科技企业能够在各自的领域取得突破，共同推动中国科技产业迈向更高的台阶，在全球科技舞台上绽放更加耀眼的光芒。

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