麒磷晶源申请一种n型磷掺杂碳化硅晶体的制备方法专利，实现碳化硅中掺杂磷

国家知识产权局信息显示，深圳麒磷晶源半导体有限公司申请一项名为“一种n型磷掺杂碳化硅晶体的制备方法”的专利，公开号CN 120608330 A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本申请属于半导体材料技术领域，具体涉及一种n型磷掺杂碳化硅晶体的制备方法。所述n型磷掺杂碳化硅晶体的制备方法，所述磷原子通过碳化硅晶体中硅原子与中子俘获核反应转换得到，包括以下步骤：测定待掺杂碳化硅晶体的初始电学性能；根据目标电阻率计算磷原子目标掺杂浓度，并判断是否对碳化硅晶体进行磷原子掺杂；采用中子源对待掺杂碳化硅晶体进行中子辐照处理使硅原子转化为磷原子，实现磷原子的掺杂；对掺杂的磷原子进行激活处理，得到n型磷掺杂碳化硅晶体。

天眼查资料显示，深圳麒磷晶源半导体有限公司，成立于2025年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳麒磷晶源半导体有限公司专利信息1条。

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来源：市场资讯