华虹半导体申请沟槽型外延结构及其制备方法专利，降低器件导通电阻

国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“沟槽型外延结构及其制备方法”的专利，公开号CN120603299A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本申请提供一种沟槽型外延结构及其制备方法，在制备方法中，通过在第一外延层中的深沟槽内依次生长第一本征硅层、掺碳硅层和第二本征硅层，随后再在深沟槽内填充第二外延层，在第一外延层和第二外延层的交界面中引入第一本征硅层、掺碳硅层和第二本征硅层的组合膜层，可以抑制P型掺杂离子(硼离子)、N型掺杂离子(磷离子)在后续工艺热过程中的相互扩散，使第一外延层和第二外延层的交界面(P‑N交界面)保持清晰，降低器件导通电阻，提升器件性能。

天眼查资料显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目375次，专利信息83条，此外企业还拥有行政许可227个。

华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2938次，专利信息1792条，此外企业还拥有行政许可116个。

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来源：市场资讯