中国再投1700亿，二期存储器基地开建，闪存仅4年打破美韩垄断
当前中国高科技行业在美国的一再影响干预之下，手机芯片技术的发展成为了燃眉之急，中芯国际等众多新兴企业加入其中。
而除了手机芯片之外，存储芯片的进步同样迫在眉睫，尤其是随着现代化智能应用的普及，人们的生活生产活动越来越多的依赖于大数据分析，来提供更加精确，更加快捷的服务。
为此我国再投入1700亿，开始建设国家存储器基地的二期项目，仅仅四年的时间在闪存领域打破美韩垄断。
根据我们的了解，我国这一国家存储器基地的二期工程落户于此次正处于疫情中心区域的武汉，具体位于当地的东湖高新区，幸而在政府与人民的不懈努力之下，武汉当地的疫情已经稳定，这一工程才得以在今年的六月份顺利开工。
整个工程项目的投资金额高达1700亿元，占地面积较大，未来建成之后将成为了我国新型3D闪存芯片的重要生产基地，其生效效率能够达到每个月三十万片芯片的效果。
这一生产效率或许还不足以满足我国国产企业的需求，但却是中国踏进存储芯片国际市场的第一步。早在2016年及之前的时间了，存储芯片的生产技术被美国和韩国所垄断，以韩国的三星以及美国的美光几家公司为代表，共同决定着国际存储器的价格定位，中国则需要依赖于这几大企业的芯片供给，基本没有发言权。
如今经过短短四年的时间，我国已然具备了先进的3D nand闪存芯片的生产技术，这也是我国国际进口分量最大的一款芯片。
与普通的存储芯片相比，这款芯片的数据传输能力更快，应用于各种智能设备之中，能够加速设备的运行速率，是未来存储芯片更新换代的重要趋势。
这一成就与我国手机芯片的国产化一并发展，将大大有助于中国实现真正的芯片自给自足，而后续我国还将进一步促进技术的升级，站稳在国际市场上的地位。
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中国南北两座烂尾的摩天大楼：一座超300米，一座接近600米
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