国产芯片制造发展决定着我们在半导体产业上所能够达到的高度,而半导体制造产业的短板则限制了国产芯片的发展,其中,光刻机问题尤为严峻。
芯片制造产业
近来一段时间,大家所将关注的焦点都放到了光刻机上,从阿斯麦采购光刻机现在多了很多障碍,尤其是在极紫外光刻机(EUV光刻机)方面,阿斯麦一直没有发货,而国产光刻机,现在仍旧未能突破28纳米光刻技术。
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这些问题,意味着国产光刻技术仍旧是未来很长一段时间大家所关注的焦点,一旦有任何的一点动静,都会引起人们的关注,都会很快冲上热搜。
就像中科院苏州纳米所的5纳米光刻技术一样,从7月7日被爆出消息,不到小半天,已经在互联网上成为了焦点:一种新型5nm超高精度激光光刻加工方法!
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据悉,该技术是由中国科学院苏州纳米研究所研究员张子与国家纳米中心研究员刘前共同合作进行研发,成果已经形成论文在Nano Letters上发表!
看到“论文”这俩字,估计大家的第一个感觉就是“遥遥无期”,科技风景线小编要说的是,先不要那么悲观,因为我们的科研团队已经设计开发了一种新型的三层堆叠薄膜结构,实现了最小5nm的特征线宽。
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区别于掩模光刻,这项激光直写技术为无掩模光刻技术的一种,研究团队所开发的具有完全自主知识产权的激光直写设备,在技术上为了提升加工分辨率,借助了激光与物质的非线性相互作用,拓展了激光直写技术的应用范围。
更为关键的是,研究团队利用这种超分辨的激光直写技术设备,在纳米狭缝电极阵列结构的大规模制备方面,实现了突破。
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要敢于承认国产芯片光刻技术还处于落后状态,而这个差距也是需要时间弥补的,也不是依靠冒进可以做到的,更不是依靠几篇论文就可以实现的,但是点点滴滴的突破是一步步弥补差距的关键,相信我们每一次的突破,都是追赶道路上的进步,稳扎稳打,一定可以追上来的!
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