南亚科技申请包括具有高K栅极介电层的凹入式栅极结构的存储器元件及其制备方法专利，提供一种存储器元件

文章来源：企鹅号 - 金融界视点

国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“包括具有高K栅极介电层的凹入式栅极结构的存储器元件及其制备方法”的专利，公开号CN120614816A，申请日期为2024年05月。

专利摘要显示，本公开提供一种存储器元件，包括一第一高k栅极介电层，设置在一半导体基底中。该第一高k栅极介电层的一上表面高于该半导体基底的一上表面。该存储器元件还包括一第一金属栅极电极层，设置在该第一高k栅极介电层上方。该第一金属栅极电极层的一下部被该第一高k栅极介电层包围，并且该第一金属栅极电极层的一上部的一宽度大于该第一金属栅极电极层的该下部的一宽度。该存储器元件还包括一第一介电部分，设置在该第一金属栅极电极层上方。