华虹半导体申请形成快闪存储器中ONO介电层的方法专利，改善读取干扰特性

国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“形成快闪存储器中ONO介电层的方法”的专利，公开号CN120603247A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明公开了一种形成快闪存储器中氧化物‑氮化物‑氧化物(ONO)介电层的方法，旨在改善Flash读取干扰问题。该方法包括：提供一衬底，并在衬底上(优选在预形成的浮栅上)形成第一氧化物层；在第一氧化物层上形成氮氧化硅(SiON)层，该形成过程包括将包含二氯硅烷气体、氨气体和一氧化二氮气体的混合气体引入反应腔室中进行化学气相沉积；在氮氧化硅层上形成第二氧化物层，并可后续形成控制栅。通过引入一氧化二氮气体形成SiON层替代传统氮化硅层，有效减少了介电层中的陷阱数量，增强了电绝缘性能，从而显著抑制了读取操作时浮栅电子的流失，改善了读取干扰特性，提高了快闪存储器的可靠性。

天眼查资料显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目375次，专利信息83条，此外企业还拥有行政许可227个。

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来源：市场资讯