昕原半导体申请电阻式存储元件及其制备方法专利，解决在电阻式存储器层结构内容易形成空洞的问题

国家知识产权局信息显示，昕原半导体（上海）有限公司申请一项名为“电阻式存储元件及其制备方法”的专利，公开号CN 120603480 A，申请日期为2024年03月。

专利摘要显示，本发明提供了一种电阻式存储元件及其制备方法，其中的电阻式存储元件包括：下电极和上电极，在所述上电极与所述下电极之间设置有阻变层，在所述上电极上形成有凹孔，在所述凹孔内填充有氧化物介质；并且，所述氧化物介质填平所述凹孔。

天眼查资料显示，昕原半导体（上海）有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本5029.7258万人民币。通过天眼查大数据分析，昕原半导体（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息119条，此外企业还拥有行政许可3个。

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来源：市场资讯