南亚科技申请具有间隙子的半导体元件及其制备方法专利提供一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法

文章来源：企鹅号 - 金融界视点

国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有间隙子的半导体元件及其制备方法”的专利，公开号CN120614836A，申请日期为2024年05月。

专利摘要显示，本公开提供一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一中介层，具有一第一表面和平行于该第一表面的一第二表面；一导电通孔，在该中介层的该第一表面和该第二表面之间延伸；一绝缘层，将该导电通孔与该中介层间隔开；一第一电子元件，设置在该第二表面上并电性连接到该导电通孔；一第一导电元件，位在该中介层的该第一表面上并电性连接到该导电通孔；一间隙子，共形地位在该中介层的该第一表面上和在该第一导电元件的各侧壁上；以及一钝化层，位在该间隙子上。该钝化层具有一第一介电常数，并且该间隙子具有小于该第一介电常数的一第二介电常数。