长鑫科技申请半导体结构及其制备方法专利，提供一种半导体结构及其制备方法

国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120603241A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：基底，所述基底包括多个间隔设置的有源区；多个位线结构，位于所述基底上，多个所述位线结构沿第一方向间隔设置，每一所述位线结构沿第二方向延伸且连接至多个所述有源区；所述第一方向和所述第二方向相交且均垂直于所述基底；覆盖所述位线结构的侧墙结构，所述侧墙结构由上至下包括第一部分和第二部分；其中，所述第一部分位于所述第二部分远离所述基底的一侧；所述第一部分沿所述第一方向的厚度小于所述第二部分沿所述第一方向的厚度。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1082次，财产线索方面有商标信息236条，专利信息487条，此外企业还拥有行政许可34个。

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来源：市场资讯