华虹半导体申请改善闪存读干扰的器件及其制造方法专利，显著改善读干扰失效

国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“改善闪存读干扰的器件及其制造方法”的专利，公开号CN120603248A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明提供一种改善闪存读干扰的器件，包括在浮栅多晶硅层上形成的第一氧化硅层；在第一氧化硅层形成的渗氮二氧化硅层；在渗氮二氧化硅层上形成的氮化硅层；在氮化硅层上形成的第二氧化硅层；在第二氧化硅层上形成的控制栅多晶硅层。本发明渗氮后的氧化层介电常数提高，抑制浮栅电子隧穿，显著改善读干扰失效。

天眼查资料显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目375次，专利信息83条，此外企业还拥有行政许可227个。

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来源：市场资讯