华虹宏力申请闪存测试结构版图及制作方法专利 有效监测存储单元浮栅漏电或击穿电压

国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“闪存的测试结构、版图及其制作方法”的专利，公开号CN 120612970 A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明提供一种闪存的测试结构、版图及其制作方法，包括：衬底、多行平行的沿X方向延伸的字线以及多列平行的沿Y方向延伸的Y向有源区。相邻两列Y向有源区之间设置有X向有源区，X向有源区和两侧的邻近区域的Y向有源区连接且构成H区域。H区域的正上方包括位于左上角的第一浮栅、位于左下角的第二浮栅、位于右上角的第三浮栅和位于右下角的第四浮栅。第一浮栅和第二浮栅相连接且通过第一接触孔引出；第三浮栅和第四浮栅相连接且通过第二接触孔引出；第一接触孔和第二接触孔中，一个接高电压，另一个接低电压，可以有效监测H区域内相邻两列存储单元各自的浮栅之间的漏电或者击穿电压；发现问题，及时返工整改，避免位线失效和编程失效。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目921次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

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来源：市场资讯