华虹半导体申请无背面光刻的深沟槽逆导型IGBT工艺制作方法专利，简化了工艺

国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司、华虹半导体（无锡）有限公司、上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“无背面光刻的深沟槽逆导型IGBT的工艺制作方法”的专利，公开号CN120603264A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明公开了一种无背面光刻的深沟槽逆导型IGBT的工艺制作方法，旨在解决现有技术工艺复杂、需背面对准及成本高等问题。该方法包括：在第一导电类型外延层的正面形成深沟槽；对深沟槽底部进行第一离子注入形成第二导电类型环形区域；回填深沟槽；完成正面IGBT结构制作；对衬底背面减薄；在背面进行第二离子注入形成第一导电类型区域，该区域与环形区域构成集电极短路结构。深沟槽与环形区域图案可共用同一光罩。本发明无需背面光刻，简化了工艺，降低了成本，避免了背面对准难题，提高了良率，并可灵活调控器件特性，适用于硅基及碳化硅基IGBT。

天眼查资料显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目375次，专利信息83条，此外企业还拥有行政许可227个。

华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2938次，专利信息1792条，此外企业还拥有行政许可116个。

上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目921次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

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来源：市场资讯