北京集成电路装备创新中心申请衬底的刻蚀方法和半导体工艺设备专利，公开一种衬底的刻蚀方法和半导体工艺设备

国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“衬底的刻蚀方法和半导体工艺设备”的专利，公开号CN 120600629 A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本申请公开一种衬底的刻蚀方法和半导体工艺设备，属于半导体加工技术领域，包括提供待刻蚀结构，待刻蚀结构包括衬底和依次形成于衬底上的转移层和图案化芯轴层；在图案化芯轴层的各芯轴两侧形成侧墙；去除图案化芯轴层；以侧墙为掩膜，对转移层进行刻蚀以得到转移图形；以转移图形为掩膜，对衬底进行刻蚀；在芯轴的实际宽度大于第一预定宽度时，使侧墙的实际宽度小于第二预定宽度，并使转移图形靠近衬底的一端的宽度大于靠近侧墙一端的宽度；或者，在芯轴的实际宽度小于第一预定宽度时，使侧墙的实际宽度大于第二预定宽度，并使转移图形靠近衬底的一端的宽度小于靠近侧墙一端的宽度。

天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1013950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息10条，此外企业还拥有行政许可6个。

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来源：市场资讯