中芯国际申请半导体结构及形成方法专利，所述半导体结构的电容量提升

国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构及半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN120600733A，申请日期为2024年03月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底和位于衬底上的衬垫层；在衬垫层上形成复合结构层和位于复合结构层内的第一凹槽，第一凹槽暴露出衬垫层表面，复合结构层包括若干层第一层和若干层第二层，第二层位于相邻的第一层之间；去除第一凹槽暴露出的部分第二层，在相邻第一层之间形成第二凹槽，第二凹槽与第一凹槽相连通；在第一凹槽侧壁表面和底部表面、以及第二凹槽侧壁表面和底部表面形成介电层；形成位于第一凹槽内和第二凹槽内的第一电极层；去除复合结构层，形成位于衬垫层上的第二电极层，第一电极层和第二电极层分别位于介电层的两侧，第一电极层和第二电极层通过介电层电隔离。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

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来源：市场资讯