中芯国际申请半导体结构单元及其形成方法、半导体结构专利，所述半导体结构单元的面积减小

国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构单元及其形成方法、半导体结构”的专利，公开号CN120614877A，申请日期为2024年03月。

专利摘要显示，一种半导体结构单元及其形成方法、半导体结构，半导体结构单元包括：衬底，包括第一区和第二区；位于衬底上的若干第一栅极结构和若干第二栅极结构，第一栅极结构位于相邻的第二栅极结构之间；位于第一区第一栅极结构上和第二栅极结构上的若干第一金属层，第一金属层平行于第一方向；位于第二区第一栅极结构上和第二栅极结构上的若干第二金属层，第二金属层平行于第一方向；位于若干第一金属层上的若干第一插塞；位于第二金属层上的若干第二插塞；位于第一区第一金属层上的第一导电层，第一导电层平行于第二方向；位于第二区第二金属层上的第二导电层，第二导电层平行于第二方向。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

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来源：市场资讯