中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，减小导电插塞占用的面积，提升器件设计灵活性

国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯京城集成电路制造（北京）有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN 120614875 A，申请日期为2024年03月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，包括基底，位于基底表面的绝缘层以及位于绝缘层表面的半导体层，半导体层包括栅极区以及包围栅极区的若干沟道区；在栅极区内形成暴露出绝缘层表面和各沟道区侧壁表面的第一开口；在第一开口内形成栅极结构，栅极结构与各沟道区侧壁相接触；在半导体层内形成若干暴露出绝缘层表面的第二开口；在各第二开口内形成源漏掺杂层，各源漏掺杂层位于相邻两个沟道区之间。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目52次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可225个。

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来源：市场资讯