芯粤能半导体申请半导体结构的制备方法及半导体结构专利，有利于降低阈值电压

国家知识产权局信息显示，广东芯粤能半导体有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”的专利，公开号CN120603267A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。方法包括：提供衬底，于衬底上形成外延层，外延层具有第一掺杂类型；于外延层内形成沿平行衬底方向间隔排布的第一掺杂区、第二掺杂区及第三掺杂区，第一掺杂区、第二掺杂区及第三掺杂区具有第二掺杂类型；于外延层内形成第四掺杂区及第五掺杂区，第四掺杂区与第一掺杂区部分重合，第五掺杂区与第三掺杂区部分重合，第四掺杂区与第五掺杂区具有第一掺杂类型；去除部分外延层以形成目标沟槽，目标沟槽位于第四掺杂区及第五掺杂区之间，且目标沟槽的宽度大于第二掺杂区的宽度。

天眼查资料显示，广东芯粤能半导体有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本45793.1035万人民币。通过天眼查大数据分析，广东芯粤能半导体有限公司参与招投标项目44次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息50条，此外企业还拥有行政许可99个。

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来源：市场资讯