上海积塔半导体申请半导体结构及其形成方法专利，实现对衬底的弯曲度值的降低

国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120613310A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底的上方的金属互联层，所述金属互联层向所述衬底施加第一应力；于所述金属互联层的上方形成应力调整层，所述应力调整层向所述基底施加第二应力，所述第一应力的方向与所述第二应力的方向相反；对形成有所述应力调整层的所述基底进行退火处理，于所述基底中形成应力记忆；去除所述应力调整层。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1862次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1242条，此外企业还拥有行政许可193个。

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来源：市场资讯