北京大学等申请堆叠晶体管的制备方法等专利，实现堆叠晶体管特定制备流程

文章来源：企鹅号 - 金融界视点

国家知识产权局信息显示，北京大学;北京知识产权运营管理有限公司申请一项名为“堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及电子设备”的专利，公开号CN120603316A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及电子设备。该方法包括：在衬底上形成在第一方向上堆叠设置的正面有源结构和背面有源结构；基于正面有源结构，形成正面晶体管中的正面第一源漏结构、正面栅极结构、正面第二源漏结构和正面栅极侧墙；倒片并减薄衬底；基于背面有源结构，形成背面晶体管中的背面第一源漏结构、背面栅极结构、背面第二源漏结构和背面栅极侧墙；基于背面第一栅极侧墙，沿着第一方向，向下自对准刻蚀，刻蚀停止至正面栅极结构或正面晶体管的底部，形成第一凹槽；在第一凹槽中沉积金属材料，形成第一栅极接触结构；在刻蚀停止至正面栅极结构的情况下，第一栅极接触结构贯穿背面栅极结构并接触正面栅极结构。