华虹宏力申请分栅存储器阵列结构及其操作方法专利，降低存储器操作电压

国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“分栅存储器阵列结构及其操作方法”的专利，公开号CN120600070A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明提供一种分栅存储器阵列结构的操作方法，该存储器操作方式基于分栅型SONOS结构，一个存储单元由一个选择管和两个置于选择管两侧的存储管构成，两侧存储管栅极可以共接，作为一个存储管使用，也可以两个存储管分别存储数据，增加存储密度。写入数据时，选择管弱开启，沟道中存在漏电，在靠近漏端的存储管产生热载流子注入写入数据。本发明的存储器操作电压可降至7V以下，沟道中电流可低至1‑2nA，写入时间为5‑10微秒。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目921次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

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来源：市场资讯